建設地點

廣東廣州增城區

建設單位

中微半導體設備（廣州）有限公司

項目概況

項目擬選址廣州市增城區新譽北路和創優路交叉口東北側地塊，主要從事半導體設備的生產、研發，僅包括組裝、測試和包裝，整機測試工序均在真空、保壓狀態下進行，再使用氣槍噴射氦氣進行氣密性檢測，不涉及通入特氣進行反應測試，年產12臺Gen8.6代等離子增強化學氣相沉積(PECVD)設備、3臺蝕刻(Etch)設備，建設3個Gen4.5代等離子增強化學氣相沉積(PECVD)研發機臺、3個干法蝕刻(DryEtch)研發機臺、1個原子沉積(ALD)研發機臺。研發主要采用設計(含委外定制原料/零部件)、原料質檢、玻璃基片清洗、等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝功能測試與腔體清洗、膜層性能測試、原子層沉積(TFEALD)工藝功能測試、干法刻蝕(DryEtch)工藝功能測試、設備性能改進升級等工序。項目總投資100000萬元，其中環保投資730萬元。

環評機構

廣州經濟技術開發區怡地工程有限公司

主要環境影響及預防或減輕不良環境影響的對策和措施

（一）項目氯氣、氟化物、氮氧化物執行《大氣污染物排放限值》（DB44/27-2001）第二時段二級標準；磷烷和硅烷參照執行《環境影響評價技術導則制藥建設項目》（HJ611-2011）附錄C中多介質環境目標值估算DMEG值和《荷蘭排放導則》（NER）中排放限值的較嚴值；非甲烷總烴、TVOC執行《固定污染源揮發性有機物綜合排放標準》（DB44/2367-2022）表1揮發性有機物排放限值；氨執行《惡臭污染物排放標準》（GB14554-93）表2中35米高排氣筒排放標準值。食堂油煙執行《飲食業油煙排放標準（試行）》（GB18483-2001）表2最高允許排放濃度。廠區內無組織排放監控點NMHIC濃度執行《固定污染源揮發性有機物綜合排放標準》（DB44/2367-2022）中表3廠區內VOCs無組織排放限值。廠界無組織排放的硫酸霧、氮氧化物、氟化物、氯氣執行《大氣污染物排放限值》（DB44/27-2001）表2第二時段無組織排放監控濃度限值；氨、硫化氫、臭氣濃度執行《惡臭污染物排放標準》（GB14554-93）新、擴、改建設項目惡臭污染物廠界二級標準。
（二）項目生活污水執行《水污染物排放限值》（DB44/26-2001）第二時段三級標準，生產廢水執行《電子工業水污染物排放標準》（GB39731-2020）；經市政污水管道排至增城區開發區下沉式再生水廠處理達標后排放。
（三）項目噪聲排放執行《工業企業廠界環境噪聲排放標準》（GB12348-2008）3類標準。
（四）各類固體廢物實行分類收集、處置。固體廢物的貯存、堆放應按《危險廢物貯存污染控制標準》（GB18597-2023）、《一般工業固體廢物貯存和填埋污染控制標準》(GB 18599-2020)要求進行管理。危險廢物應委托有資質的單位處置。

公眾參與情況