建設地點

廣東廣州黃埔區(qū)中新廣州知識城新能源新材料及智能芯片園內(nèi)，人才四路以南、人才三路以北、芯源六路以東地塊

建設單位

廣州辰微電子科技有限公司

項目概況

廣州辰微電子科技有限公司模塊電源產(chǎn)業(yè)項目選址在廣州市黃埔區(qū)中新廣州知識城新能源新材料及智能芯片園人才四路以南、人才三路以北、芯源六路以東地塊進行建設，主要從事功率半導體、系統(tǒng)集成封裝產(chǎn)品的生產(chǎn)，年產(chǎn)功率半導體41.76萬片，系統(tǒng)集成封裝產(chǎn)品13050萬個。項目年工作365天，每天3班，每班8小時。

環(huán)評機構

廣州經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)怡地工程有限公司

主要環(huán)境影響及預防或減輕不良環(huán)境影響的對策和措施

1.系統(tǒng)集成封裝產(chǎn)線產(chǎn)生的廢氣（TVOC、非甲烷總烴、顆粒物、錫及其化合物、環(huán)氧氯丙烷、酚類、甲苯）集中收集經(jīng)二級活性炭處理，TVOC、非甲烷總烴應達到廣東省《固定污染源揮發(fā)性有機物綜合排放標準》（DB44/2367-2022）表1揮發(fā)性有機物排放限值，顆粒物、錫及其化合物應達到廣東省《大氣污染物排放限值》（DB44/27-2001）第二時段二級標準，環(huán)氧氯丙烷、酚類、甲苯應達到《合成樹脂工業(yè)污染物排放標準》（GB31572-2015）（含2024年修改單）后引至排氣筒（DA001）高空排放，排氣筒出口處距離地平面不低于15米。
2.功率半導體生產(chǎn)外延制備、化學氣相沉積、干法刻蝕、原子層沉積等工序產(chǎn)生的工藝尾氣（氟化物、氯氣、氮氧化物、磷烷、硅烷、二氧化硫、TVOC、非甲烷總烴、氨氣）通過完全密閉設備管道直連集中收集經(jīng)設備自帶的POU裝置（等離子燃燒+水洗）預處理后，與顯影、濕法清洗、濕法刻蝕等工序產(chǎn)生的廢氣（TVOC、非甲烷總烴、氯化氫、氟化氫、硫酸霧、氮氧化物、磷酸霧、氨）一并經(jīng)密閉設備連接管道收集匯合后經(jīng)兩套堿液噴淋塔處理，TVOC、非甲烷總烴應達到廣東省《固定污染源揮發(fā)性有機物綜合排放標準》（DB44/2367-2022）表1揮發(fā)性有機物排放限值，氟化物、氯氣、氯化氫、氮氧化物、硫酸霧、二氧化硫應達到廣東省《大氣污染物排放限值》（DB44/27-2001）第二時段二級標準，磷烷、硅烷應達到《環(huán)境影響評價技術導則 制藥建設項目》（HJ 611-2011）中的多介質(zhì)環(huán)境目標值估算DMEG值和《荷蘭排放導則》（NER）計算結果中的較嚴值，磷酸應達到上海市地方標準《大氣污染物綜合排放標準》（DB31/933-2015）表 1 大氣污染物項目排放限值，氨應達到《惡臭污染物排放標準》（GB14554-1993）表2惡臭污染物排放標準值后引至排氣筒（DA002、DA003）高空排放，排氣筒出口處距離地平面不低于15米。
3.功率半導體生產(chǎn)涂膠、烘烤、濕法去膠、干燥洗等工序產(chǎn)生的有機廢氣（TVOC、非甲烷總烴）經(jīng)密閉設備連接管道收集經(jīng)“沸石轉(zhuǎn)輪吸附濃縮+TO燃燒”處理，TVOC、非甲烷總烴應達到廣東省《固定污染源揮發(fā)性有機物綜合排放標準》（DB44/2367-2022）表1揮發(fā)性有機物排放限值，TO爐產(chǎn)生的燃燒廢氣（SO2、NOx、顆粒物）應達到廣東省《大氣污染物排放限值》（DB44/27-2001）第二時段二級標準后引至排氣筒（DA004）高空排放，排氣筒出口處距離地平面不低于15米。
4.功率半導體生產(chǎn)金屬層沉積工序產(chǎn)生的硫酸霧經(jīng)密閉設備連接管道收集，應達到《電鍍污染物排放標準》（GB21900-2008）表5新建企業(yè)大氣污染物排放限值后引至排氣筒（DA005）高空排放，排氣筒出口處距離地平面不低于15米。
5.污水處理站產(chǎn)生的惡臭污染物經(jīng)加蓋密閉負壓連接管道收集經(jīng)“酸液噴淋+堿液噴淋”處理，氨、硫化氫、臭氣濃度應達到《惡臭污染物排放標準》（GB14554-1993）表2惡臭污染物排放標準后引至排氣筒（DA006）高空排放，排氣筒出口處距離地平面不低于15米。

公眾參與情況

項目受理公示期間無反饋意見。